- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11536 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de grille de commande également utilisée en tant que partie du transistor périphérique
Détention brevets de la classe H01L 27/11536
Brevets de cette classe: 50
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
12 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
9 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
3 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 952 |
3 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
2 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
2 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
2 |
| Marlin Semiconductor Limited | 460 |
2 |
| SK Keyfoundry Inc. | 240 |
2 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
1 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
1 |
| Greenliant LLC | 24 |
1 |
| IoTMemory Technology Inc. | 5 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1019 |
1 |
| Shanghai Huali Microelectronics Corporation | 160 |
1 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
1 |
| NXP USA, Inc. | 4155 |
1 |
| GLOBALFOUNDERS Singapore Pte. Ltd. | 1 |
1 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |